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BSZ12DN20NS3GATMA1  与  BSC12DN20NS3 G  区别

型号 BSZ12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3 G
唯样编号 A-BSZ12DN20NS3GATMA1 A-BSC12DN20NS3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 50W(Tc) -
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 108mΩ
上升时间 - 4ns
Qg-栅极电荷 - 8.7nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 6S
封装/外壳 8-PowerTDFN -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 11.3A
配置 - Single
长度 - 5.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 125 毫欧 @ 5.7A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 3ns
高度 - 1.27mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 200V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
典型关闭延迟时间 - 10ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 25uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - BSC12DN20
25°C时电流-连续漏极(Id) 11.3A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 200V -
典型接通延迟时间 - 6ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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BSZ12DN20NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
BSC12DN20NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC12DN20NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

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BSC12DN20NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC12DN20NS3GATMA1_200V 11.3A 108mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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